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K4R271669B-MCG6  256K x 16 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq.: 600 MHz.
厂商： Samsung Electronics查看供应商
K4R271669B-YCK8  128Mbit RDRAM (B-die)
厂商： Samsung Electronics查看供应商
K4R271669A-MCK7  DRAM Chip: RDRAM: 16MByte: 2.5V Supply: Commercial: uBGA: 62-Pin
厂商： Samsung Electronics查看供应商
K4R271669B-NCK7  256K x 16 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, I/O freq.: 711 MHz
厂商： Samsung Electronics查看供应商
K4R271669B-NCG6  256K x 16 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq.: 600 MHz.
厂商： Samsung Electronics查看供应商
K4R271669A-MCG6  DRAM Chip: RDRAM: 16MByte: 2.5V Supply: Commercial: uBGA: 62-Pin
厂商： Samsung Electronics查看供应商
K4R271669A-VCK7  DRAM Chip: RDRAM: 16MByte: 2.5V Supply: Commercial: uBGA: 62-Pin
厂商： Samsung Electronics查看供应商
K4R271669A-VCK8  DRAM Chip: RDRAM: 16MByte: 2.5V Supply: Commercial: uBGA: 62-Pin
厂商： Samsung Electronics查看供应商
K4R271669B-MCK7  256K x 16 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, I/O freq.: 711 MHz.
厂商： Samsung Electronics查看供应商
K4R271669A-YCK8  DRAM Chip: RDRAM: 16MByte: 2.5V Supply: Extended Commercial: uBGA: 54-Pin
厂商： Samsung Electronics查看供应商

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