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厂商：
PDC8UV6484E-102T-S  64MByte (8M x 64) CMOS, PC/100 Synchronous DRAM Module
厂商： Fujitsu Quantum Devices Limited查看供应商
PDC16UV6484D-102T-S-E1  DRAM Module: SDRAM: 128MByte Density: 3.3V Supply: DIMM Package
厂商： Fujitsu 查看供应商
PDC16UV6484C-103T-S  DRAM Module, SDRAM, 128MByte Density, 3.3V Supply, DIMM Package
厂商： Fujitsu 查看供应商
PDC16UV6484C-102T-S-E1  DRAM Module: SDRAM: 128MByte Density: 3.3V Supply: DIMM Package
厂商： Fujitsu 查看供应商
PDC16UV6484E-102T-S-E1  DRAM Module: SDRAM: 128MByte Density: 3.3V Supply: DIMM Package
厂商： Fujitsu 查看供应商
PDC16UV6484E-75T-S-E1  DRAM Module: SDRAM: 128MByte Density: 3.3V Supply: DIMM Package
厂商： Fujitsu Quantum Devices Limited查看供应商
PDC16UV6484C-103T-S-E1  DRAM Module: SDRAM: 128MByte Density: 3.3V Supply: DIMM Package
厂商： Fujitsu Quantum Devices Limited查看供应商
2N2484ADCSM  Dual Bipolar NPN Devices in a Hermetically Sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications
厂商： Semelab查看供应商
2N2484JV  Silicon NPN Transistor - Package = TO-18 Level = Jans Vceo (V) = 60 Vcbo (V) = 60 Vebo (V) = 6.0 Ic (A) = 0.05 Power (W) ta = 0.36 Rtja (C/W) = 325 Tstg/top (C) = -65 to +200 Hfe = 800 VCE(sat) (V) = 0.30
厂商： Semicoa Semiconductor查看供应商
2N2484JX  Silicon NPN Transistor - Package = TO-18 Level = Jans Vceo (V) = 60 Vcbo (V) = 60 Vebo (V) = 6.0 Ic (A) = 0.05 Power (W) ta = 0.36 Rtja (C/W) = 325 Tstg/top (C) = -65 to +200 Hfe = 800 VCE(sat) (V) = 0.30
厂商： Semicoa Semiconductor查看供应商

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