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BLS6G3135-20  LDMOS S-band radar power transistor - Application: S-band radar ; Description: S-band radar LDMOS ; Duty cycle: 10 %; Efficiency: 45 %; Frequency band: 3100-3500 GHz; Operating voltage: 32 VDC; Output power: 20 W; Package material: SOT608A ; Power gain: 15.5 dB
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BLS3135-10 TRAY  Microwave power transistor - Application: S-band Radar ; Description: S-Band Radar Bipolar RF POWER Transistor ; Duty cycle: 10 %; Efficiency: 40 %; Frequency: 3100 - 3500 MHz; Load power: 10 W; Operating voltage: 40 VDC; Power gain: 9 dB; Pulse width: 100 us
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BLS3135-50  Microwave power transistor
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BLS2731-50 TRAY  Microwave power transistor - Application: S-band Radar ; Description: S-Band Radar Bipolar RF POWER Transistor ; Duty cycle: 10 %; Efficiency: 40 %; Frequency: 2700 - 3100 MHz; Load power: 60 W; Operating voltage: 40 VDC; Power gain: 9 dB; Pulse width: 100 us
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BLT52/P  TRANS GP BJT NPN 10V 2.5A 8SOT409A
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BLT80/T1  TRANS GP BJT NPN 10V 0.25A 4SOT-223 T/R
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BLT71  UHF power transistor
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BLT71/8  UHF power transistor
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BLT92/SL  UHF power transistor
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BLT50T  TRANS GP BJT NPN 10V 0.5A 4SOT-223 T/R
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商

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