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BUP311D  12A 1200V TO218AB IGBT + Diode
厂商： Infineon Technologies查看供应商
BUL47B  Bipolar NPN Device in a Hermetically Sealed TO3 Metal Package - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=250 / Ic=40 / Hfe=30min / fT(Hz)=20M / Pwr(W)=200
厂商： Semelab查看供应商
BUP313D  IGBT With Antiparallel Diode
厂商： Infineon Technologies查看供应商
BUP314S  IGBT
厂商： Infineon Technologies查看供应商
BUP50  Bipolar NPN Device in a Hermetically Sealed TO3 Metal Package - Pol=NPN / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=100 / Hfe=10min / fT(Hz)=- / Pwr(W)=300
厂商： Semelab查看供应商
BUP403  IGBT
厂商： Infineon Technologies查看供应商
BUP314  29A 1200V TO218AB IGBT
厂商： Infineon Technologies查看供应商
BUP53R  NPN MULTI-EPITAXIAL TRANSISTOR
厂商： Semelab查看供应商
BUP602D  IGBT With Antiparallel Diode
厂商： Infineon Technologies查看供应商
BUP400D  IGBT With Antiparallel Diode
厂商： Infineon Technologies查看供应商

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