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厂商：
IPP50CN10N G  N-Channel MOSFETs (20V - 250V); Package: PG-TO220-3; Package: TO-220; VDS (max): 100.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 50.0 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): -; ID (max): 20.0 A;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
IPP04CN10N G  N-Channel MOSFETs (20V - 250V); Package: PG-TO220-3; Package: TO-220; VDS (max): 100.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 3.9 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): -; ID (max): 100.0 A;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
IPP16CN10N G  N-Channel MOSFETs (20V - 250V); Package: PG-TO220-3; Package: TO-220; VDS (max): 100.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 16.5 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): -; ID (max): 53.0 A;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
IPP16CN10L G  N-Channel MOSFETs (20V - 250V); Package: PG-TO220-3; Package: TO-220; VDS (max): 100.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 15.7 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): 20.8 mOhm; ID (max): 54.0 A;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
IPP35CN10N G  N-Channel MOSFETs (20V - 250V); Package: PG-TO220-3; Package: TO-220; VDS (max): 100.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 35.0 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): -; ID (max): 27.0 A;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
IPP26CN10N G  N-Channel MOSFETs (20V - 250V); Package: PG-TO220-3; Package: TO-220; VDS (max): 100.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 26.0 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): -; ID (max): 35.0 A;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
IPP80CN10N G  N-Channel MOSFETs (20V - 250V); Package: PG-TO220-3; Package: TO-220; VDS (max): 100.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 78.0 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): -; ID (max): 13.0 A;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
IPP12CN10L G  N-Channel MOSFETs (20V - 250V); Package: PG-TO220-3; Package: TO-220; VDS (max): 100.0 V; RDS (on) (max) (@10V): 12.0 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): 15.8 mOhm; ID (max): 69.0 A;
厂商： Infineon Technologies查看供应商
K4R761869A-GCN1  576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18-Bit x 32s banks Direct RDRAMTM
厂商： Samsung Electronics查看供应商
K4R761869A-FCN1  1M x 18 Bit x 32 Banks Direct RDRAM
厂商： Samsung Electronics查看供应商

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