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IRHM7264SE  TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=250V, Rds(on)=0.087ohm, Id=35A*)
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IRHM7250  RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
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THM72V2010AG  2,097,152 WORDS X 72 BIT DYNAMIC RAM MODULE
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THM72V2010AG-60  2,097,152 WORDS X 72 BIT DYNAMIC RAM MODULE
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THM72V2010AG-70  2,097,152 WORDS X 72 BIT DYNAMIC RAM MODULE
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THM72V2010ATG-60  2,097,152 WORDS X 72 BIT DYNAMIC RAM MODULE
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THM72V2010ATG-70  2,097,152 WORDS X 72 BIT DYNAMIC RAM MODULE
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IRHM7260  RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE(T0-254AA)
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IRHM7250SE  N-Channel Single Event Effect (SEE) Rad Hard HEXFET Transistor(N 沟道 单事件效应 Rad Hard HEXFET技术晶体管)
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