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IBM0116400P  4M x 4 12/10 DRAM(16M位 动态RAM（带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）)
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IBM43RF0100  SiGe High Dynamic Range Low Noise Transistor(用于高性能，低成本应用的硅锗NPN低噪声晶体管)
厂商： IBM[IBM] 查看供应商
IBM0116160  1M x 16 12/8 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）)
厂商： IBM[IBM] 查看供应商
IBM0116160B  1M x 16 12/8 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）)
厂商： IBM[IBM] 查看供应商
IBM0116160M  1M x 16 12/8 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）)
厂商： IBM[IBM] 查看供应商
IBM0116160P  1M x 16 12/8 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）)
厂商： IBM[IBM] 查看供应商
IBM0116165  1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）)
厂商： IBM[IBM] 查看供应商
IBM0116165B  1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）)
厂商： IBM[IBM] 查看供应商
IBM0116165M  1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）)
厂商： IBM[IBM] 查看供应商
IBM0116165P  1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）)
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