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IRFM210A  N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为200V,导通电阻为1.5Ω,漏电流为0.77A))
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IRF720A  N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为400V,导通电阻为1.8Ω,漏电流为3.3A))
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IRFM220A  N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为200V,导通电阻为0.8Ω,漏电流为1.13A))
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IRFE210  HEXFET Transistor(HEXFET 晶体管)
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IRF7422D2  Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封装 HEXFET晶体管和肖特基二极管)
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IRFM9240  HEXFET POWER MOSFET(HEXFET 功率MOS场效应管)
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IRFP240A  N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为200V,导通电阻为0.18Ω,漏电流为20A))
厂商: FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]查看供应商
IRFS240A  N-Channel Power MOSFET(200V,0.18Ω,12.8A)(N沟道功率MOS场效应管(漏源电压200V,导通电阻0.18Ω,漏电流12.8A))
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IRFZ24A  60V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为60V的N沟道增强型功率MOS场效应管)
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IRFZ24NL  55V,17A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(55V,17A,N沟道 HEXFET功率MOS场效应管)
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