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厂商：
KM416S4030CT-G/FL  1M x 16-Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
厂商： Samsung Electronics查看供应商
KM4112IT5  70 uA, Low Cost, +2.7 V & +5 V, 7.3 MHz Rail-to-Rail Amplifier
厂商： Fairchild Semiconductor查看供应商
KM4132G112Q-B6  DRAM Chip: SGRAM: 4MByte: 3.3V Supply: Commercial: QFP: 100-Pin
厂商： Samsung Electronics查看供应商
KM416RD8AD-RK80  256K x 16 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, speed: 800 Mbps(400 MHz).
厂商： Samsung Electronics查看供应商
KM4170IT5TR3  Low Cost, +2.7 V Rail-to-Rail I/O Amplifier
厂商： Fairchild Semiconductor查看供应商
KM416L8031BT-G0  128 Mb DDR SDRAM. Version 0.61, Operating freq. 100 MHz, speed 10ns.
厂商： Samsung Electronics查看供应商
KM416L8031BT-GY  128 Mb DDR SDRAM. Version 0.61, Operating freq. 133 MHz, speed 7.5 ns.
厂商： Samsung Electronics查看供应商
KM418RD8AC-RK70  256K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, speed: 711 Mbps(356 MHz).
厂商： Samsung Electronics查看供应商
KM418RD8AD-RK70  256K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, speed: 711 Mbps(356 MHz).
厂商： Samsung Electronics查看供应商
KM416RD8AD-RG60  256K x 16 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, speed: 600 Mbps(300 MHz).
厂商： Samsung Electronics查看供应商

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