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IXSK50N60BU1  IGBT with Diode(VCES为600V,VCE(sat)为2.5V的绝缘栅双极晶体管(带二极管))
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IXFH70N15  N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源击穿电压150V,导通电阻28mΩ的N沟道增强型HiPerFET功率MOSFET)
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IXFK180N10  N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源击穿电压100V,导通电阻8mΩ的N沟道增强型HiPerFET功率MOSFET)
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IXFJ40N30  N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源击穿电压300V,导通电阻80mΩ的N沟道增强型HiPerFET功率MOSFET)
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IXFH30N40Q  N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源击穿电压400V,导通电阻0.16Ω的N沟道增强型HiPerFET功率MOSFET)
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IXFR50N50  N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源击穿电压500V,导通电阻100mΩ的N沟道增强型HiPerFET功率MOSFET)
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IXGA20N60B  HiPerFAST IGBT(VCES为600V,VCE(sat)为1.7V的HiPerFAST绝缘栅双极晶体管)
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IXFR24N100  N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源击穿电压1000V,导通电阻0.39Ω的N沟道增强型HiPerFET功率MOSFET)
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IXGA15N120B  HiPerFAST IGBT(VCES为1200V,VCE(sat)为3.2V的HiPerFAST绝缘栅双极晶体管)
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DSEE15-12CC  HiPerDynFRED Epitaxial Diode(正向电流15A的HiPerDynFRED外延型二极管)
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