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DSEE29-12CC  HiPerDynFRED Epitaxial Diode(正向电流30A的HiPerDynFRED外延型二极管)
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IXFH12N90Q  N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源击穿电压900V,导通电阻0.9Ω的N沟道增强型HiPerFET功率MOSFET)
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IXGH12N60C  Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(Lightspeed系列,VCES为600V,VCE(sat)为2.1V的HiPerFAST绝缘栅双极晶体管)
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IXGR12N60C  HiPerFAST IGBT(VCES为600V,VCE(sat)为2.1V的HiPerFAST绝缘栅双极晶体管)
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IXSH35N135A  High Voltage,High Speed IGBT(VCES为1350V的高电压高速绝缘栅双极晶体管)
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IXFR58N20Q  N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源击穿电压200V,导通电阻40mΩ的N沟道增强型HiPerFET功率MOSFET)
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IXGH28N60B  Ultra Low VCE(sat) IGBT with Diode(VCES为600V,VCE(sat)为2.0V的绝缘栅双极晶体管(带二极管))
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IXGR32N60C  Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(Lightspeed系列,VCES为600V,VCE(sat)为2.1V的HiPerFAST绝缘栅双极晶体管)
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IXGR39N60B  HiPerFAST IGBT(VCES为600V,VCE(sat)为1.8V的HiPerFAST绝缘栅双极晶体管)
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IXFK48N55  N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源击穿电压550V,导通电阻110mΩ的N沟道增强型HiPerFET功率MOSFET)
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