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BAS32LT/R  High-speed switching diode - Cd max.: 2 pF; Configuration: single ; IF max: 200 mA; IFSM max: 4 A; IR max: 5000@VR=75V nA; IFRM: 450 mA; trr max: 4 ns; VFmax: 1@IF=100mA mV; VR max: 75 V
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BAS321T/R  General purpose diode - Cd max.: 2 pF; Configuration: single ; IF max: 250 mA; IFSM max: 9 A; IR max: 100@VR=200V nA; IFRM: 625 mA; trr max: 50 ns; VFmax: 1@IF=100mA mV; VR max: 200 V
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BAS31T/R  General purpose controlled avalanche (double) diodes - Cd max.: 35 pF; Configuration: dual series ; IF max: 250 mA; IFSM max: 10 A; IR max: 100@VR=90V nA; IFRM: 600 mA; trr max: 50 ns; VFmax: 1@IF=200mA mV; VR max: 90 V
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BAS321  General purpose diode
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BAS316T/R  High-speed diode - Cd max.: 1.5 pF; Configuration: single ; IF max: 250 mA; IFSM max: 4 A; IR max: 1000@VR=75V nA; IFRM: 500 mA; trr max: 4 ns; VFmax: 1@IF=50mA mV; VR max: 100 V
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BAS40-05T/R  General-purpose Schottky diodes - Cd max.: 5@VR=0V pF; Configuration: dual c.c. ; IF max: 120 mA; IFSM max: 200 A; IR max: 1@VR=30VA; VFmax: 500@IF=10mA mV; VR max: 40 V
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BAS45ALT/R  Low-leakage diode - Cd max.: 4 pF; Configuration: single ; IF max: 250 mA; IFSM max: 4 A; IR max: 1@VR=125V nA; IFRM: 625 mA; trr max: 1500 ns; VFmax: 1@IF=100mA mV; VR max: 125 V
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BAS40  Schottky Barrier (Double) Diode
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BAS40-05  Schottky barrier double diodes
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BAS40-06T/R  General-purpose Schottky diodes - Cd max.: 5@VR=0V pF; Configuration: dual c.a. ; IF max: 120 mA; IFSM max: 200 A; IR max: 1@VR=30VA; VFmax: 500@IF=10mA mV; VR max: 40 V
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商

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