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2N6661JAN  N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源击穿电压90V,夹断电流0.86A的N沟道增强型MOSFET晶体管)
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S289P  Silicon Darlington Phototransistor(极高灵敏度的硅达林顿光晶体管)
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2N5545  Monolithic Dual N-Channel JFET(最小栅源击穿电压-50V,最大栅极工作电流-50pA的双N沟道结型场效应管)
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2N5546  Monolithic Dual N-Channel JFET(最小栅源击穿电压-50V,最大栅极工作电流-50pA的双N沟道结型场效应管)
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2N5547  Monolithic Dual N-Channel JFET(最小栅源击穿电压-50V,最大栅极工作电流-50pA的双N沟道结型场效应管)
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Type 30D  + 105℃, Miniature, General Purpose ,Axial Lead Aluminum Capacitors(工作温度-40℃到+105℃的微型通用轴向引线铝电容)
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Type 630D Extralytic  Aluminum Electrolytics Capacitors(工作温度-55℃到+125℃的铝电解电容)
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DG384A  CMOS Analog Switches(用于仪器,通讯和过程控制的双单刀双掷CMOS模拟开关)
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DG387A  CMOS Analog Switches(用于仪器,通讯和过程控制的单刀双掷CMOS模拟开关)
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TESS5400 INLINE  Silicon Photodetector with Logic Output(带逻辑输出的光检测器)
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