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厂商:
ESJA59-12A  High Voltage Silicon Diode
厂商: FUJI[Fuji Electric] 查看供应商
格特高压电子 高压二极管 ESJA59-12A 富士高压二极管 49 ESJA59-12A  
工作温度范围:-40~120(℃) 功耗:0
材料:硅(Si)是否进口:
针脚数:2正向平均电流,IF:5mA
反向浪涌电压,Vrrm:12KV型号:ESJA59-12A
产品类型:整流堆品牌:FUJI/富士通
封装:DO

ESJA59-12A参数表 Datasheet:

型号 Type

ESJA59-12A

制造商 Manufacturer

FUJI

反向重复峰值电压 VRRM

12kV

正向平均电流IF(AV)

5.0mA

正向不重复浪涌电流 IFSM

0.5A

正向峰值电压IF=10(mA) VFM

45V

反向直流电流VR=VRRM(kV) IRTa=25℃

2.0μA

反向恢复时间 Trr

80nS

反向直流电流VR=VRRM(kV) IRToil=100℃

5.0μA

PN结电容 Cj

1.0pF

工作温度 Tj

-40~+120℃

存储温度 Tstg

-40~+120℃

外形尺寸Shape Size:(Unit: mm)

型   号

A

B (min)

φ1

φ2

ESJA59-12A

8.0

27

3.0

0.6

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