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IRGBC30K  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=14A)
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IRGBC30K-S  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=14A)
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IRGBC30KD2  Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with Ultrafast Soft Recovery Diode(带超快软恢复二极管的绝缘栅双极型晶体管)
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IRGBC30KD2-S  Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with Ultrafast Soft Recovery Diode(带超快软恢复二极管的绝缘栅双极型晶体管)
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