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您现在的位置： 首页 > PDF > BLF4 共找到 14条符合 BLF4 的信息
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BLF4G22-130  UHF power LDMOS transistor - Description: Basestation RF POWER Transistor ; Efficiency: 26 %; Frequency band: 2000 - 2200 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 33 W; Package material: SOT502A ; Power gain: 13.5 dB
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BLF4G22-100  UHF power LDMOS transistor - Application: W-CDMA ; Description: Basestation LDMOS RF POWER Transistor ; Efficiency: 26@W-CDMA %; Frequency: 2000 - 2200 MHz; Load power: 24 avg (W-CDMA) W; Operating voltage: 28 VDC; Power gain: 13.5 dB
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BLF4G10-160  UHF power LDMOS transistor - Application: RF power amplifiers for GSM, GSM EDGE and CDMA base stations and multicarrier ; Description: 160 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from ; Efficiency: 41.5 %; Frequency: 800 - 1000 MHz; Load power: 80 (AV) W; Operating voltage: 28 VDC; Power gain: 19.7 dB
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商
BLF4G20LS-130  UHF power LDMOS transistor - Description: Basestation RF POWER Transistor ; Efficiency: 32 %; Frequency band: 2000 - 2200 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 25 W; Package material: SOT896-1 ; Power gain: 18 dB
厂商： Philips Semiconductors / NXP Semiconductors查看供应商

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