PO=30.7dBmW
GP =20.5dB
ηD =68%
PO=37.3dBmW
GP =12.3dB
ηD =57%
型号:FF200R12KS4 名称:IGBT
规格:200A/1200V 封装:模块
品牌:infineon 产地:德国
包装:1盒/10个
备注:100%全新原装(本公司有配套的IGBT驱动板,型号:PSHI2312),开发票需加税点.
实物实拍,请勿盗图.
配套的驱动板PSHI2012 请到公司网上www.pshfi.com查看详细的PDF说明.
N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM - NEC
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