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DSEE29-06CC  HiPerDynFRED Epitaxial Diode(正向电流30A的HiPerDynFRED外延型二极管)
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DSEE8-06CC  HiPerDynFRED Epitaxial Diode(HiPerDynFRED外延型二极管)
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IXFK180N085  N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源击穿电压85V,导通电阻7mΩ的N沟道增强型HiPerFET功率MOSFET)
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IXSA12N60AU1  Low VCE(sat) IGBT with Diode(VCE(sat)典型值为2.5V绝缘栅双极晶体管(带二极管))
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IXGK50N60BD1  HiPerFAST IGBT with Diode(VCES为600V,VCE(sat)为2.3V的HiPerFAST绝缘栅双极晶体管(带二极管))
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IXGN80N30BD1  IGBT with Diode(VCES为300V,VCE(sat)为2.4V的绝缘栅双极晶体管(带二极管))
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IXGR40N60BD1  IGBT with Diode(VCES为600V,VCE(sat)为2.2V的绝缘栅双极晶体管(带二极管))
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IXGX40N60BD1  HiPerFAST IGBT with Diode(VCES为600V,VCE(sat)为2.1V的HiPerFAST绝缘栅双极晶体管(带二极管))
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IXSK40N60BD1  IGBT with Diode(VCES为600V,VCE(sat)为2.2V的绝缘栅双极晶体管(带二极管))
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IXSK50N60BD1  IGBT with Diode(VCES为600V,VCE(sat)为2.5V的绝缘栅双极晶体管(带二极管))
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