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IXSN50N60BD2  High Speed IGBT with HiPerFRED(VCES为600V,VCE(sat)为2.5V的高速绝缘栅双极晶体管(带Hiper快速恢复外延型二极管))
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IXGA12N60CD1  Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(Lightspeed系列,VCES为600V,VCE(sat)为2.1V的HiPerFAST绝缘栅双极晶体管)
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IXGA7N60CD1  HiPerFAST IGBT with Diode(VCES为600V,VCE(sat)为2.0V的HiPerFAST绝缘栅双极晶体管(带二极管))
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IXGH32N60CD1  Light Speed Series HiPerFAST IGBT with Diode(Lightspeed系列,VCES为600V,VCE(sat)为2.1V的HiPerFAST绝缘栅双极晶体管(带二极管))
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IXGH31N60D1  Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode(VCES为600V,VCE(sat)为1.7V的绝缘栅双极晶体管(带二极管))
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IXFK180N07  N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源击穿电压70V,导通电阻6mΩ的N沟道增强型HiPerFET功率MOSFET)
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IXFR180N07  N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源击穿电压70V,导通电阻6mΩ的N沟道增强型HiPerFET功率MOSFET)
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IXBJ40N140  N-Channel, Enhancement Mode High Voltage BIMOSFET(VCES为1400V,VCE(sat)为7.1V的N沟道增强型高电压BIMOSFET)
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IXFH80N10Q  N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源击穿电压100V,导通电阻15mΩ的N沟道增强型HiPerFET功率MOSFET)
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IXFR150N15  N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源击穿电压150V,导通电阻12.5mΩ的N沟道增强型HiPerFET功率MOSFET)
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